S80KS5123GABHV023

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES

分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

描述: PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 512Mb SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)

物料参数

DigiKey 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:PSRAM
技术:PSRAM(伪 SRAM)
存储容量:512Mb
存储器组织:64M x 8
存储器接口:SPI - 八 I/O
时钟频率:200 MHz
写周期时间 - 字,页:35ns
访问时间:35 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 2V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-VBGA
供应商器件封装:24-FBGA(6x8)